Простийпошук |
Розширенийпошук |
Покажчики
|
Професійний пошук |
Рубрикатор НБУВ |
Розподілений пошук |
Бази даних
Наукова періодика України - результати пошуку
Книжкові видання та компакт-дискиЖурнали та продовжувані виданняАвтореферати дисертаційРеферативна база данихНаукова періодика УкраїниТематичний навігаторАвторитетний файл імен осіб
 |
Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер "Mozilla Firefox" |
|
|
Повнотекстовий пошук
| Знайдено в інших БД: | Книжкові видання та компакт-диски (3) | Автореферати дисертацій (1) | Реферативна база даних (31) |
Список видань за алфавітом назв: Авторський покажчик Покажчик назв публікацій  |
Пошуковий запит: (<.>A=Рувінський Б$<.>) | |||
|
Загальна кількість знайдених документів : 8 Представлено документи з 1 до 8 |
|||
| 1. | 
Рувінський М. А. Динамічна провідність прямолінійної смужки графену [Електронний ресурс] / М. А. Рувінський, Б. М. Рувінський // Фізика і хімія твердого тіла. - 2011. - Т. 12, № 1. - С. 27-31. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/PhKhTT_2011_12_1_4 Узагальнено результати попередніх робіт авторів з теорії динамічної провідності плоского прямолінійного графенового дроту. Для внутрішньозонної провідності розглянуто випадок біполярного зразка. Для міжзонної провідності досліджено вплив класичних розмірних ефектів дзеркально-дифузного механізму відбивання носіїв заряду, виявлений для міжзонного струму в кубічному наближенні за амплітудою змінного електричного поля. Розрахунки проведено без обмежень на співвідношення між шириною дроту та довжиною вільного пробігу носіїв струму, а довжина дроту є набагато більшою за його ширину. | ||
| 2. |
Рувінський Б. М. Міжзонна провідність допованого графену у постлінійному відгуку [Електронний ресурс] / Б. М. Рувінський, М. А. Рувінський // Фізика і хімія твердого тіла. - 2012. - Т. 13, № 2. - С. 325-331. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/PhKhTT_2012_13_2_5 Теоретично досліджено динамічну провідність допованого графену, обумовлену міжзонними резонансними переходами, залежності від частоти та амплітуди зовнішнього електричного поля, температури графену та концентрації вільних носіїв заряду. Одержані результати виходять за межі першого порядку теорії збурень і призводять за достатньо сильних електричних полів до насичення індукованого струму за розглянутих загальних умов, як і в теорії Міщенка для нульових температури та хімпотенціалу. Для допованого графену виявлено також нелінійні ефекти зростання оптичної прозорості у випадку збільшення інтенсивності падаючого випромінювання. | ||
| 3. |
Рувінський Б. М. Внутрішньозонна динамічна провідність допованого графену поза лінійним відгуком [Електронний ресурс] / Б. М. Рувінський, М. А. Рувінський // Фізика і хімія твердого тіла. - 2012. - Т. 13, № 3. - С. 595-599. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/PhKhTT_2012_13_3_7 Досліджено теоретично внутрішньозонну динамічну провідність допованого графену за межами підходу лінійного відгуку електронної підсистеми на падаючу електромагнітну хвилю. Визначено залежності внутрішньозонного струму від електричного поля, частоти, температури та хімічного потенціалу, які свідчать про відхилення в достатньо сильних електричних полях і за малих частот від лінійного наближення класичної теорії провідності Друде - Больцмана. Одержано насичення індукованого струму та нелінійне збільшення прозорості графену з ростом інтенсивності хвилі, як і для випадку міжзонної провідності за постлінійного відгуку. На відміну від збільшення для міжзонних переходів за фіксованої інтенсивності коефіцієнт трансмісії графену за внутрішньозонним механізмом зменшується з підвищенням хімпотенціалу та температури. | ||
| 4. |
Рувінський Б. М. Вплив класичних розмірних ефектів на міжзонну динамічну провідність прямолінійної смужки графену [Електронний ресурс] / Б. М. Рувінський, М. А. Рувінський // Фізика і хімія твердого тіла. - 2012. - Т. 13, № 4. - С. 860-866. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/PhKhTT_2012_13_4_4 Досліджено теоретично вплив дзеркально-дифузного механізму відбивання носіїв заряду на міжзонну динамічну провідність плоского прямолінійного графенового дроту, довжина якого є набагато більшою за його ширину. Проведено порівняння з відповідним впливом на внутрішньозонну провідність. Для міжзонного струму вплив класичних розмірних ефектів виявляється в кубічному наближенні за амплітудою змінної напруги. | ||
| 5. |
Рувінський Б. М. Комплекси власних дефектів з киснем у плівках PbTe [Електронний ресурс] / Б. М. Рувінський, М. А. Рувінський // Фізика і хімія твердого тіла. - 2013. - Т. 14, № 2. - С. 395-399. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/PhKhTT_2013_14_2_20 На підставі уявлень про утворення та розпад у плівках телуриду свинцю нейтральних комплексів власних дефектів і легувальної домішки кисню *** і *** пояснено кінетику концентрації електронів у плівках n-PbTe, спостережувану за низьких тисків кисню та кімнатної температури. З порівняння теоретичних та експериментальних результатів визначено кінетичні параметри двох різних типів комплексів. | ||
| 6. |
Рувінський Б. М. Термоелектричний ефект у стрічках допованого графену [Електронний ресурс] / Б. М. Рувінський, М. А. Рувінський // Фізика і хімія твердого тіла. - 2014. - Т. 15, № 3. - С. 457-463. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/PhKhTT_2014_15_3_4 Проведено теоретичне дослідження термоелектричного ефекту в нанострічках допованого графену для випадків "крісла" (armchair) і "зігзагу" (zigzag) з урахуванням відповідних електронних станів (з щілиною та без щілини в енергетичному спектрі). За допомогою кінетичного рівняння Больцмана визначено електропровідність, термоелектричний коефіцієнт і термоерс. Для випадку "крісла" розглянуто пружне розсіяння носіїв струму на екранованому потенціалі зарядженої домішки, а для випадку "зігзагу" визначено вплив електрон-фононної взаємодії. Показано, що наявність щілини в енергетичному спектрі та одновимірного руху в нанострічці призводить до збільшення термоерс у порівнянні з випадком необмеженого графену. | ||
| 7. |
Рувінський Б. М. Вплив флуктуацій товщини на електропровідність і термоерс квантового напівпровідникового дроту [Електронний ресурс] / Б. М. Рувінський, М. А. Рувінський // Фізика і хімія твердого тіла. - 2014. - Т. 15, № 4. - С. 689-692. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/PhKhTT_2014_15_4_4 Одержано вирази для часу релаксації і рухливості електронів та статичної електропровідності квантового напівпровідникового дроту з урахуванням значення випадкового поля, зумовленого гауссівськими флуктуаціями товщини дроту. Розглянуто вплив сильного квантуючого магнітного поля, напрямленого вздовж довжини дроту. Установлено, що у невиродженому випадку за низьких температур рухливість електронів <$Eroman {u sub n }> ~ <$Eroman T sup 1"/"2>.The expressions for a relaxation time, an electron mobility and static conductivity of a quantum semiconducting wire, which are determined by a random field conditioned by Gaussian fluctuations of wire thickness are obtained. The influence of a strongquantizing magnetic field directional along length of a wire is considered. In a nondegenerate case and low temperatures electron mobility un ~ T1/2Визначено електропровідність і термоерс квантового напівпровідникового дроту, зумовлені випадковим полем гауссівських флуктуацій товщини дроту. Результати наведено для випадків невиродженої та виродженої статистики носіїв струму. Показано, що розглянутий механізм релаксації носіїв заряду є суттєвим для достатньо тонкого та чистого дроту з GaAs за низьких температур і допускає принципову можливість підвищення величини термоерс у порівнянні з випадком масивного тривимірного зразка. | ||
| 8. |
Рувінський М. А. Кінетичні ефекти, обумовлені флуктуаціями товщини квантового напівпровідникового дроту [Електронний ресурс] / М. А. Рувінський, Б. М. Рувінський, О. Б. Костюк // Фізика і хімія твердого тіла. - 2016. - Т. 17, № 1. - С. 7-10. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/PhKhTT_2016_17_1_3 Теоретично визначено електропровідність, термоерс і теплопровідність квантового напівпровідникового дроту внаслідок гауссівських флуктуацій товщини дроту. Результати наведено для випадків невиродженої і виродженої статистики носіїв заряду. Розглянутий механізм релаксації носіїв заряду є суттєвим для достатньо тонкого і чистого дроту з напівпровідників типу A | ||
Попередній перегляд: 
Реферативна БД
 |
| Відділ наукової організації електронних інформаційних ресурсів |
 Пам`ятка користувача |